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STB33N60M2 construit près: |
N-canal 600 V, 0,108 Ohm typ., 26 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAK | Téléchargement STB33N60M2 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 1029 kb |
STB32NM50N | Vue STB33N60M2 à notre catalogue | STB34N65M5 |