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STGB18N40LZT4 construit près: |
EAS 180 mJ - 390 V - IGBT serré interne D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: STGB18N40LZ, STGB18N40LZ-1, |
Téléchargement STGB18N40LZT4 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 878 kb |
STGB18N40LZ-1 | Vue STGB18N40LZT4 à notre catalogue | STGB19NC60H |