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Sehen Sie alle datasheets von an Samsung ElectronicNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR Download 2N6516 datasheet von
Samsung Electronic		 pdf
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Sehen Sie alle datasheets von an USHA India LTDHochspannungstransistoren. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V = Vceo. Kollektor-Basis-Spannung: 250V = VCBO. Collector Ableitung: Pc (max) = 625mW. Download 2N6516 datasheet von
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Sehen Sie alle datasheets von an Continental Device India Limited0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0,500A Ic, 30 - hFE Download 2N6516 datasheet von
Continental Device India Limited		 pdf
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