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2N6759 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6760, |
Download 2N6759 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 119 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350V/400V | Download 2N6759 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 143 kb |
2N6758 | Ansicht 2N6759 zu unserem Katalog | 2N6760 |