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2N6761 Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5A/ 450V/500V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6762, |
Download 2N6761 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 142 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | Download 2N6761 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 118 kb |
2N6760 | Ansicht 2N6761 zu unserem Katalog | 2N6762 |