|
| Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
|
Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2N6764 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 38A. | Download 2N6764 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 116 kb |
|
N-Führung Energie MOSFETs/ 38A/ 60V/100V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6763, |
Download 2N6764 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 145 kb |
|
N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Leistungstransistor Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6766, 2N6768, 2N6770, JANTX2N6764, JANTX2N6766, |
Download 2N6764 datasheet von Omnirel |
pdf 68 kb |
|
100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF150, JANTXV2N6764, |
Download 2N6764 datasheet von International Rectifier |
pdf 155 kb |
2N6763 | Ansicht 2N6764 zu unserem Katalog | 2N6765 |