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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| 2N6766 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Leistungstransistor Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6768, 2N6770, JANTX2N6764, JANTX2N6766, JANTX2N6768, |
Download 2N6766 datasheet von Omnirel |
pdf 68 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A. | Download 2N6766 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 123 kb |
 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF250, JANTXV2N6766, |
Download 2N6766 datasheet von International Rectifier |
pdf 151 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 30A/ 150V/200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6765, |
Download 2N6766 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 147 kb |
| 2N6765 | Ansicht 2N6766 zu unserem Katalog | 2N6767 |