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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| 2SC5076 Vorbei Hergestellt: | 
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 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS). HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | Download 2SC5076 datasheet von TOSHIBA |
pdf 224 kb |
| 2SC5075 | Ansicht 2SC5076 zu unserem Katalog | 2SC5077 |