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BU406H Vorbei Hergestellt: |
400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BU406, BU408, |
Download BU406H datasheet von Samsung Electronic |
pdf 178 kb |
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NPN epitaktischen Siliziumtransistor. Hochspannungsschalt für Horizontalablenkung Endstufe. Kollektor-Basisspannung 400V. Kollektor-Emitter-Spannung 200V. Emitter-Basis-Spannung 6V. | Download BU406H datasheet von Wing Shing Computer Components |
pdf 29 kb |
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NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Download BU406H datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 52 kb |
BU406D | Ansicht BU406H zu unserem Katalog | BU406TU |