|
| Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
|
Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
GT10J312(SM) Vorbei Hergestellt: |
ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N Andere mit der gleichen Akte für datasheet: GT10J312, |
Download GT10J312(SM) datasheet von TOSHIBA |
pdf 295 kb |
GT10J312 | Ansicht GT10J312(SM) zu unserem Katalog | GT10J321 |