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GT5J311 Vorbei Hergestellt: |
ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N Andere mit der gleichen Akte für datasheet: GT5J311(SM), |
Download GT5J311 datasheet von TOSHIBA |
pdf 320 kb |
GT5J301 | Ansicht GT5J311 zu unserem Katalog | GT5J311(SM) |