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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF121 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF120-123, IRF523, IRF120, IRF123, IRF522, |
Download IRF121 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 171 kb |
 | 8.0A und 9.2A/ 80V und 100V/ Energie MOSFETs 0.27 und 0.36 Ohm-N-Channel/ Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF122, |
Download IRF121 datasheet von Intersil |
pdf 72 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF121 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 32A. | Download IRF121 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
| IRF120-123 | Ansicht IRF121 zu unserem Katalog | IRF122 |