|
| Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
|
Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF132 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 48A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF133, IRF131, IRF130, |
Download IRF132 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
|
N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF533, IRF532, IRF531, IRF130-133, |
Download IRF132 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
|
12A und 14A, 80V und 100V, 0,16 und 0,23 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Download IRF132 datasheet von Intersil |
pdf 62 kb |
|
N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF132 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
IRF1312STRR | Ansicht IRF132 zu unserem Katalog | IRF133 |