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IRF150 Vorbei Hergestellt: |
40A/ 100V/ 0.055 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF150 datasheet von Intersil |
pdf 62 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 40A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF153, IRF151, IRF152, |
Download IRF150 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Download IRF150 datasheet von SemeLAB |
pdf 27 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF150-153, |
Download IRF150 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 130 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF150 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 215 kb |
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100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764, |
Download IRF150 datasheet von International Rectifier |
pdf 155 kb |
IRF143 | Ansicht IRF150 zu unserem Katalog | IRF150-153 |