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IRF220 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF223, IRF222, IRF221, |
Download IRF220 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF622, IRF621, IRF220-223, IRF623, |
Download IRF220 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
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4.0A und 5.0A/ 150V und 200V/ 0.8 und 1.2 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF220 datasheet von Intersil |
pdf 73 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF220 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 214 kb |
IRF200S100RJ | Ansicht IRF220 zu unserem Katalog | IRF220-223 |