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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF250 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766, |
Download IRF250 datasheet von International Rectifier |
pdf 151 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Download IRF250 datasheet von SemeLAB |
pdf 27 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF252, IRF251, IRF253, |
Download IRF250 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 200 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF250 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 220 kb |
 | 30A/ 200V/ 0.085 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF250 datasheet von Intersil |
pdf 62 kb |
| IRF247 | Ansicht IRF250 zu unserem Katalog | IRF250SMD |