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IRF323 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF322, IRF321, IRF320, |
Download IRF323 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF323 datasheet von Samsung Electronic |
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2.8A und 3.3A/ 350V und 400V/ 1.8 und 2.5 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF323 datasheet von Intersil |
pdf 72 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, |
Download IRF323 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF322 | Ansicht IRF323 zu unserem Katalog | IRF330 |