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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| IRF330 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF331, IRF732, |
Download IRF330 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
 | 5.5A/ 400V/ 1.000 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF330 datasheet von Intersil |
pdf 62 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF332, IRF333, |
Download IRF330 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 213 kb |
 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6760, JANTX2N6760, JANTXV2N6760, |
Download IRF330 datasheet von International Rectifier |
pdf 152 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A. | Download IRF330 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
| IRF323 | Ansicht IRF330 zu unserem Katalog | IRF330-333 |