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IRF511 Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF510, IRF512, IRF513, |
Download IRF511 datasheet von Supertex Inc |
pdf 77 kb |
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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 80V, 5,6A | Download IRF511 datasheet von Harris Semiconductor |
pdf 74 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | Download IRF511 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 173 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5 A 60-100V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF510-513, |
Download IRF511 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 156 kb |
IRF510STRR | Ansicht IRF511 zu unserem Katalog | IRF512 |