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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF610 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF611, IRF613, IRF612, |
Download IRF610 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
 | 3.3A/ 200V/ 1.500 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF610 datasheet von Intersil |
pdf 60 kb |
 | 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Download IRF610 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
 | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF610PBF, |
Download IRF610 datasheet von International Rectifier |
pdf 180 kb |
| IRF5YZ48CM | Ansicht IRF610 zu unserem Katalog | IRF610-613 |