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IRF613 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF610, IRF611, IRF612, |
Download IRF613 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 3.5A/ 150-200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF610-613, |
Download IRF613 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 153 kb |
IRF612 | Ansicht IRF613 zu unserem Katalog | IRF614 |