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IRF620 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF621, IRF622, IRF623, |
Download IRF620 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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ALTES PRODUCT:NOT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF620FI, |
Download IRF620 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 331 kb |
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200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF620PBF, |
Download IRF620 datasheet von International Rectifier |
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5.0A/ 200V/ 0.800 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF620 datasheet von Intersil |
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5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Download IRF620 datasheet von Fairchild Semiconductor |
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N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | Download IRF620 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
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N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | Download IRF620 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
IRF6156 | Ansicht IRF620 zu unserem Katalog | IRF620B |