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IRF633 Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF632, IRF631, IRF230, IRF230-233, IRF231, |
Download IRF633 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF630, |
Download IRF633 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
IRF632 | Ansicht IRF633 zu unserem Katalog | IRF634 |