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IRF642 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 16A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF641, |
Download IRF642 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 163 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 18A/ 150-200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF241, IRF240-243, IRF240, IRF643, IRF242, |
Download IRF642 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 145 kb |
IRF641 | Ansicht IRF642 zu unserem Katalog | IRF643 |