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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF731 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF733, IRF730, IRF732, |
Download IRF731 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF330, IRF330-333, IRF331, IRF332, IRF333, |
Download IRF731 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
| IRF730STRR | Ansicht IRF731 zu unserem Katalog | IRF7311 |