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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF822 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF820, IRF823, IRF821, |
Download IRF822 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Download IRF822 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF822 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor, 500V, 2.8A Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF820FI, IRF822FI, |
Download IRF822 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 175 kb |
| IRF821FI | Ansicht IRF822 zu unserem Katalog | IRF822FI |