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IRF830 Vorbei Hergestellt: |
ENERGIE MOSFET | Download IRF830 datasheet von BayLinear |
pdf 40 kb |
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PowerMOS Transistor Lawine Energie veranschlug | Download IRF830 datasheet von Philips |
pdf 62 kb |
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Leistungsfeldeffekttransistor | Download IRF830 datasheet von ON Semiconductor |
PDF 115 kb |
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500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF830PBF, |
Download IRF830 datasheet von International Rectifier |
pdf 178 kb |
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4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Download IRF830 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 99 kb |
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500 V, Leistungsfeldeffekttransistor | Download IRF830 datasheet von TRANSYS Electronics Limited |
pdf 274 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF831, IRF832, IRF833, |
Download IRF830 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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N - FÜHRUNG 500V - 1.35W - 4.5A - TO-220 PowerMESH Mosfet | Download IRF830 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 97 kb |
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N-CHANNEL 500V - 1.35 OHM - 4.5A - TO-220 POWERMESH MOSFET | Download IRF830 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 270 kb |
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4.5A/ 500V/ 1.500 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF830 datasheet von Intersil |
pdf 60 kb |
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N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS | Download IRF830 datasheet von TRSYS |
pdf 273 kb |
IRF82FI | Ansicht IRF830 zu unserem Katalog | IRF830-D |