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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF832 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF831, IRF833, IRF830, |
Download IRF832 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF433, IRF430, IRF430-433, IRF431, IRF432, |
Download IRF832 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
| IRF831 | Ansicht IRF832 zu unserem Katalog | IRF833 |