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| K4E661612B-TL45 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4E641612B-TL60, K4E641612B-TL50, K4E661612B-TC45, K4E661612B-TC50, K4E641612B-TL45, |
Download K4E661612B-TL45 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 888 kb |
| K4E661612B-TC60 | Ansicht K4E661612B-TL45 zu unserem Katalog | K4E661612B-TL50 |