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| K4F160412D-B Vorbei Hergestellt: | 
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 | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4F160412D-F, K4F160411D-F, K4F160411D-B, K4F170411D-B, K4F170411D-F, |
Download K4F160412D-B datasheet von Samsung Electronic |
pdf 227 kb |
| K4F160412D | Ansicht K4F160412D-B zu unserem Katalog | K4F160412D-F |