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K4F160811D-F Vorbei Hergestellt: |
2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4F170812D-F, K4F170812D-B, K4F170811D-F, K4F170811D-B, K4F160812D-F, |
Download K4F160811D-F datasheet von Samsung Electronic |
pdf 228 kb |
K4F160811D-B | Ansicht K4F160811D-F zu unserem Katalog | K4F160812D |