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MJE3055T Vorbei Hergestellt: |
NPN, Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für allgemeine Zwecke Schalt- und Verstärkeranwendung. Vceo (sus) = 60Vdc, Vcb = 70Vdc VEB = 5VDC, Ic = 10Adc, Pd = 75W. | Download MJE3055T datasheet von USHA India LTD |
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ENERGIE TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) Andere mit der gleichen Akte für datasheet: MJE2955T, MJE2955, |
Download MJE3055T datasheet von MOSPEC Semiconductor |
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Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Download MJE3055T datasheet von Central Semiconductor |
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SILIKON-EPITAXIAL- PLANARER TRANSISTOR Andere mit der gleichen Akte für datasheet: MJE3055, |
Download MJE3055T datasheet von Wing Shing Computer Components |
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NPN Silikon-Transistor | Download MJE3055T datasheet von Fairchild Semiconductor |
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10 AMPERE-ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 60 VOLT 75 WATT | Download MJE3055T datasheet von Motorola |
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70 V, 10 A, NPN Silizium-Transistor | Download MJE3055T datasheet von Samsung Electronic |
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NPN Plastikenergie Transistor | Download MJE3055T datasheet von Continental Device India Limited |
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ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Download MJE3055T datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
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ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Download MJE3055T datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 70 kb |
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ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Download MJE3055T datasheet von ST Microelectronics |
pdf 70 kb |
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Energie 10A 60V Getrenntes NPN | Download MJE3055T datasheet von ON Semiconductor |
pdf 62 kb |
MJE3055 | Ansicht MJE3055T zu unserem Katalog | MJE3055TTU |