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MTB4N80E1 Vorbei Hergestellt: |
VERALTET - N-Kanal Enhancement-Mode-Silizium-Gate | Download MTB4N80E1 datasheet von ON Semiconductor |
PDF 194 kb |
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TMOS ENERGIE FET 4.0 AMPERE 800 VOLT | Download MTB4N80E1 datasheet von Motorola |
pdf 167 kb |
MTB4N80E-D | Ansicht MTB4N80E1 zu unserem Katalog | MTB4N80E1-D |