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| TSD4M150V Vorbei Hergestellt: | 
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 | ENERGIE MOS TRANSISTOR-MODUL DES N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ISOFET Andere mit der gleichen Akte für datasheet: TSD4M150, TSD4M150F, |
Download TSD4M150V datasheet von ST Microelectronics |
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 | V (ds): 100V; V (DGR): 100V; V (gs): + -20 V; 500W; I (d): 135A; N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor ISOFET Modul. Für DC-DC und DC-AC-Wandler, Schaltnetzteile & USV, Motorsteuerung, Ausgangsspeicher für PWM, Ultraschall Schalt | Download TSD4M150V datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 359 kb |
| ENERGIE MOS TRANSISTOR-MODUL DES N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ISOFET | Download TSD4M150V datasheet von ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
| TSD4M150F | Ansicht TSD4M150V zu unserem Katalog | TSD57030 |