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YTFP250 Vorbei Hergestellt: |
V (DSX): 200V; V (DGR): 200V; V (GSS): 20V; 150W; Silizium N-Kanal-MOS-Feldeffekteffekttransistor. Für hohe Geschwindigkeit, hohe Stromschaltanwendungen | Download YTFP250 datasheet von TOSHIBA |
pdf 108 kb |
YTD439 | Ansicht YTFP250 zu unserem Katalog | YTZ420 |