|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1013 English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
451BTA22CTRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
452BTA22DTRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
453BTA22DTRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
454BTA22ETRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
455BTA22ETRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
456BTA22MTRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
457BTA22MTRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
458BTA22NTRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
459BTA22NTRIAC DES SILIKON-10-AGeneral Electric Solid State
460BTA23TRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State



461BTA23TRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
462BTA23BTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
463BTA23BTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
464BTA23CTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
465BTA23CTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
466BTA23DTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
467BTA23DTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
468BTA23ETRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
469BTA23ETRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
470BTA23MTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
471BTA23MTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
472BTA23NTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
473BTA23NTRIAC DES SILIKON-12-AGeneral Electric Solid State
474BU32310 A NPN monollithic Darlington-Leistungstransistor. 350 V. 175 W. Gewinn von 150 auf 6 A.General Electric Solid State
475BU323A10 A NPN monollithic Darlington-Leistungstransistor. 400 V. 175 W. Gewinn von 150 auf 6 A.General Electric Solid State
476BUX11AHOHER GEGENWÄRTIGER HOHE ENERGIE SCHNELLENERGIE TRANSISTOR DES SILIKON-N-P-NGeneral Electric Solid State
477BUX11AHOHER GEGENWÄRTIGER HOHE ENERGIE SCHNELLENERGIE TRANSISTOR DES SILIKON-N-P-NGeneral Electric Solid State
478BUX14SCHALTUNG TRANSISTOR DES SILIKON-NPNGeneral Electric Solid State
479BUX14SCHALTUNG TRANSISTOR DES SILIKON-NPNGeneral Electric Solid State
480BUX3715 MONOLITHISCHER DARLINGTON ENERGIE TRANSISTOR DES AMPERE-NPNGeneral Electric Solid State
481BUX3715 MONOLITHISCHER DARLINGTON ENERGIE TRANSISTOR DES AMPERE-NPNGeneral Electric Solid State
482BUX45ENERGIE SCHALTUNG HOCHSPANNUNGSTRANSISTOREN DES HOHE ENERGIE SILIKON-NPNGeneral Electric Solid State
483BUX45ENERGIE SCHALTUNG HOCHSPANNUNGSTRANSISTOREN DES HOHE ENERGIE SILIKON-NPNGeneral Electric Solid State
484BYW51-100Dual 8A, hohe Geschwindigkeit, hohe Effizienz epitaktischen Siliziumgleichrichter. Vrrm 100V.General Electric Solid State
485BYW51-150Dual 8A, hohe Geschwindigkeit, hohe Effizienz epitaktischen Siliziumgleichrichter. Vrrm 150V.General Electric Solid State
486BYW51-200Dual 8A, hohe Geschwindigkeit, hohe Effizienz epitaktischen Siliziumgleichrichter. Vrrm 200V.General Electric Solid State
487C106A4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 100V.General Electric Solid State
488C106B4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 200V.General Electric Solid State
489C106C4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 300V.General Electric Solid State
490C106D4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 400V.General Electric Solid State
491C106E4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 500V.General Electric Solid State
492C106F4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 50V.General Electric Solid State
493C106M4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 600V.General Electric Solid State
494C106N4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 800V.General Electric Solid State
495C106S4A sensitive Gate gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrm 700V.General Electric Solid State
496C122A8A gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrom 100V.General Electric Solid State
497C122B8A gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrom 200V.General Electric Solid State
498C122C8A gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrom 300V.General Electric Solid State
499C122D8A gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrom 400V.General Electric Solid State
500C122E8A gesteuerten Siliziumgleichrichter. Vrrom 500V.General Electric Solid State



Seite: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |



© 2023    www.datasheetcatalog.net/de/generalelectricsolidstate/1/