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Datenblaetter Gefunden :: 1013

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
601	H11A5100	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
602	H11A520	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
603	H11A550	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
604	H11B255	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & NPN Silizium-Foto Darlington-Verstärker.	General Electric Solid State
605	H23A1	ZUSAMMENGEBRACHTER AUSGESTRAHLTER DETEKTOR	General Electric Solid State
606	H23A2	ZUSAMMENGEBRACHTER AUSGESTRAHLTER DETEKTOR	General Electric Solid State
607	H23B1	ZUSAMMENGEBRACHTES EMITTER-DETEKTOR-PAAR	General Electric Solid State
608	H23L1	Zusammengebrachtes Emitter-Detektor Paar H23L1	General Electric Solid State
609	H74A1	PHOTON VERBAND ISOLATOR	General Electric Solid State
610	ICL7605	Hohe Zuverlässigkeit Kommutierender Automobil-Null Instrumentaion Verstärker	General Electric Solid State

611	ICL8007	Hoher Zuverlässigkeit JFET Eingegebener Funktionsfähiger Verstärker	General Electric Solid State
612	ICL8022	(ICL8021/ICL8023) Niedrige Energie Zweipoliger Funktionsfähiger Verstärker	General Electric Solid State
613	IRF120	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 32A.	General Electric Solid State
614	IRF121	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 32A.	General Electric Solid State
615	IRF122	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 28A.	General Electric Solid State
616	IRF123	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 28A.	General Electric Solid State
617	IRF130	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 56A.	General Electric Solid State
618	IRF131	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 56A.	General Electric Solid State
619	IRF132	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 48A.	General Electric Solid State
620	IRF133	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 48A.	General Electric Solid State
621	IRF150	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 40A.	General Electric Solid State
622	IRF151	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 40A.	General Electric Solid State
623	IRF152	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 33A.	General Electric Solid State
624	IRF153	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 33A.	General Electric Solid State
625	IRF220	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A.	General Electric Solid State
626	IRF221	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A.	General Electric Solid State
627	IRF222	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
628	IRF223	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
629	IRF230	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A.	General Electric Solid State
630	IRF231	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A.	General Electric Solid State
631	IRF232	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
632	IRF233	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
633	IRF241	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 18A.	General Electric Solid State
634	IRF243	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 16A.	General Electric Solid State
635	IRF250	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
636	IRF251	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
637	IRF252	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 25A.	General Electric Solid State
638	IRF253	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 25A.	General Electric Solid State
639	IRF320	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A.	General Electric Solid State
640	IRF321	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A.	General Electric Solid State
641	IRF322	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A.	General Electric Solid State
642	IRF323	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A.	General Electric Solid State
643	IRF330	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
644	IRF331	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
645	IRF332	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
646	IRF333	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
647	IRF350	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 15A.	General Electric Solid State
648	IRF351	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 15A.	General Electric Solid State
649	IRF352	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A.	General Electric Solid State
650	IRF353	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A.	General Electric Solid State

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