| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1085681 | SE2520L | RangeCharger 2.4GHz Endverstärker IS Endrunde | SiGe Semiconductor |
| 1085682 | SE2520L-EK1 | RangeCharger 2.4GHz Endverstärker IS Endrunde | SiGe Semiconductor |
| 1085683 | SE2520L-EK3 | RangeCharger 2.4GHz Endverstärker IS Endrunde | SiGe Semiconductor |
| 1085684 | SE2520L-R | RangeCharger 2.4GHz Endverstärker IS Endrunde | SiGe Semiconductor |
| 1085685 | SE2522BL | RangeCharger.?.4GHz +23 dBm Endverstärker-Einleitung-Informationen | SiGe Semiconductor |
| 1085686 | SE2522L | Gigahertz RangeCharger.?.4 Endverstärker Und Energie Detektor IS Einleitung-Informationen | SiGe Semiconductor |
| 1085687 | SE2522L-EK1 | Gigahertz RangeCharger.?.4 Endverstärker Und Energie Detektor IS Einleitung-Informationen | SiGe Semiconductor |
| 1085688 | SE2522L-R | Gigahertz RangeCharger.?.4 Endverstärker Und Energie Detektor IS Einleitung-Informationen | SiGe Semiconductor |
| 1085689 | SE2A | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085690 | SE2B | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085691 | SE2D | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085692 | SE2E | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085693 | SE2G | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085694 | SE2J | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085695 | SE2K | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085696 | SE2M | OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1085697 | SE301A | GaAs Infrarot emittierenden Diode industriellen Einsatz. | NEC |
| 1085698 | SE302A | Licht emittierende Diode. GaAs Infrarot Emitter-Diode den industriellen Einsatz. | NEC |
| 1085699 | SE304 | GaAs Infrarot-Leuchtdiode ist. | NEC |
| 1085700 | SE306 | GaAs Infrarot-Leuchtdiode ist. | NEC |
| 1085701 | SE307 | 5 V, 150 mW, GaAs Infrarotdiode | NEC |
| 1085702 | SE307-C | GaAs Infrarot-Leuchtdiode ist. | NEC |
| 1085703 | SE308 | GAAS AUSSTRAHLENDE INFRAROTDIODE | NEC |
| 1085704 | SE310 | GaAs Infrarot-Leuchtdiode ist. | NEC |
| 1085705 | SE313 | 5 V, 150 mW, eine lichtemittierende Diode | NEC |
| 1085706 | SE370C686A | MIKROCONTROLLER 8-BIT | Texas Instruments |
| 1085707 | SE370C686AFZT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYPING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085708 | SE370C6C2A | MIKROCONTROLLER 8-BIT | Texas Instruments |
| 1085709 | SE370C6C2AFZT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYOING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085710 | SE370C6C2AJDT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYOING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085711 | SE370C702FZT | MIKROCONTROLLER 8-BIT | Texas Instruments |
| 1085712 | SE370C712A | MIKROCONTROLLER 8-BIT | Texas Instruments |
| 1085713 | SE370C712AFZT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYPING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085714 | SE370C712AJDT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYPING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085715 | SE370C712B | MIKROCONTROLLER 8-BIT | Texas Instruments |
| 1085716 | SE370C712BFZT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYPING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085717 | SE370C712BJDT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYPING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085718 | SE370C722 | MIKROCONTROLLER 8-BIT | Texas Instruments |
| 1085719 | SE370C722FZT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYPING DEVICE | Texas Instruments |
| 1085720 | SE370C722JCT | 8-Bit-Mikrocontroller PROTOTYPING DEVICE | Texas Instruments |
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