| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1138601 | SPT9713BIP | 12-bit, 100 MWPS TTL D / A-Wandler | SPT Signal Processing Technologies |
| 1138602 | SPU MOLDED | Geformte Art, gegenwärtige Shunts, vier Endwiderstände für fachkundige Anwendungen, niedriger Wert | Vishay |
| 1138603 | SPU OPEN | Öffnen Sie Art, gegenwärtige Shunts, die Gewohnheit, die, der Schlagelektroschweißen-Prozeß hergestellt wird, der an den Endpunkten angewendet wird | Vishay |
| 1138604 | SPU01N60C3 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1138605 | SPU02N60 | Energie Mosfet | Infineon |
| 1138606 | SPU02N60S5 | für niedrigste Übertragung Verluste | Infineon |
| 1138607 | SPU03N60S5 | für niedrigste Übertragung Verluste | Infineon |
| 1138608 | SPU04N60C2 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1138609 | SPU04N60C3 | Kühler MOS-Spannung Transistor | Infineon |
| 1138610 | SPU04N60S5 | für niedrigste Übertragung Verluste | Infineon |
| 1138611 | SPU07N60C2 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1138612 | SPU07N60S5 | für niedrigste Übertragung Verluste | Infineon |
| 1138613 | SPU08N05L | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138614 | SPU08N10 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138615 | SPU08P06P | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, -60V, I-PAK, RDSon = 0.30 | Infineon |
| 1138616 | SPU09N05 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138617 | SPU09P06PL | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, -60V, I-PAK RDSon = 0.25 | Infineon |
| 1138618 | SPU10N10 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138619 | SPU11N10 | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, 100V, I-PAK, RDSon=179mOhm, 11A, NL | Infineon |
| 1138620 | SPU11N10 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138621 | SPU13N05L | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138622 | SPU14N05 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138623 | SPU18P06P | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, -60V, I-PAK, RDSon = 0.13 | Infineon |
| 1138624 | SPU21N05L | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138625 | SPU23N05 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138626 | SPU28N03 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138627 | SPU28N03L | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138628 | SPU28N05L | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138629 | SPU30N03 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138630 | SPU30N03L | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138631 | SPU30N03S2-08 | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Energie Mosfet, 30V, IPAK, RDSon = 8.2mOhm, 30A, NL | Infineon |
| 1138632 | SPU30N03S2L-10 | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Energie Mosfet, 30V, IPAK, RDSon = 10.0mOhm, 30A, LL | Infineon |
| 1138633 | SPU30P06P | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, -60V, I-PAK, RDSon = 75m | Infineon |
| 1138634 | SPU31N05 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1138635 | SPV1001 | Kühle Bypass-Schalter für die Photovoltaik | ST Microelectronics |
| 1138636 | SPV1001D40 | Kühle Bypass-Schalter für die Photovoltaik | ST Microelectronics |
| 1138637 | SPV1001D40TR | Kühle Bypass-Schalter für die Photovoltaik | ST Microelectronics |
| 1138638 | SPV1001N | Kühle Bypass-Schalter für die Photovoltaik | ST Microelectronics |
| 1138639 | SPV1001N30 | Kühle Bypass-Schalter für die Photovoltaik | ST Microelectronics |
| 1138640 | SPV1001N40 | Kühle Bypass-Schalter für die Photovoltaik | ST Microelectronics |
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