| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1143961 | SSOD | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLER WIEDERAUFNAHME SUPERGLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1143962 | SSOE | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLE SUPERGLEICHRICHTER | EIC discrete Semiconductors |
| 1143963 | SSOE | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLER WIEDERAUFNAHME SUPERGLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1143964 | SSOG | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLE SUPERGLEICHRICHTER | EIC discrete Semiconductors |
| 1143965 | SSOG | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLER WIEDERAUFNAHME SUPERGLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1143966 | SSOJ | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLE SUPERGLEICHRICHTER | EIC discrete Semiconductors |
| 1143967 | SSOJ | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLER WIEDERAUFNAHME SUPERGLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1143968 | SSOK | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLE SUPERGLEICHRICHTER | EIC discrete Semiconductors |
| 1143969 | SSOK | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLER WIEDERAUFNAHME SUPERGLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1143970 | SSOM | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLE SUPERGLEICHRICHTER | EIC discrete Semiconductors |
| 1143971 | SSOM | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLER WIEDERAUFNAHME SUPERGLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 1143972 | SSP | Ptc Überschuss-Gegenwärtige Thermistoren, Anwendungen Schließen Ein: Transistor-Schutz, Bewegungsschutz, Transformator-Schutz, Nachrichtentechnik-Linie Schutz | Vishay |
| 1143973 | SSP10N60A | 600V N-Führung A-FET/ersetzte durch SSP10N60B | Fairchild Semiconductor |
| 1143974 | SSP10N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143975 | SSP1N50B | N-Führung 520V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143976 | SSP1N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143977 | SSP2N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143978 | SSP45N20B | N-Führung 200V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143979 | SSP45N20B_FP001 | 200V N-Führung B-FET/Ersatz von SSP45N20A | Fairchild Semiconductor |
| 1143980 | SSP4N60AS | Vorgerückte Energie MOFET | Fairchild Semiconductor |
| 1143981 | SSP4N60AS | Vorgerückte Energie MOFET | Samsung Electronic |
| 1143982 | SSP4N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143983 | SSP60N0X | N FÜHRUNG ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 1143984 | SSP6N60 | N-Führung Energie Mosfet | Samsung Electronic |
| 1143985 | SSP6N70A | 700V N-Führung A-FET | Fairchild Semiconductor |
| 1143986 | SSP6N80A | Vorgerückter Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143987 | SSP6N90A | Vorgerückter Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143988 | SSP7N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143989 | SSR1N50B | N-Führung 520V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143990 | SSR1N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143991 | SSR1N60BTF | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSP1N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1143992 | SSR1N60BTM | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSP1N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1143993 | SSR2N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143994 | SSR2N60BTF | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSR2N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1143995 | SSR2N60BTM | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSR2N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1143996 | SSR3055A | BV (DSS): 60V; R (ds-on): 0,15 Ohm; I (d): 8 A; Advanced Power MOSFET | Samsung Electronic |
| 1143997 | SSR4N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 1143998 | SSR4N60BTF | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSR4N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1143999 | SSR4N60BTM | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSR4N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1144000 | SSRP105 | ASYMETRISCHER ÜBERSPANNUNG VERDOPPELUNGSCHUTZ FÜR TELEKOMMUNIKATIONSLINIE | ST Microelectronics |
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