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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1166121STHH2003CRHOCHFREQUENZSEKUNDÄRGLEICHRICHTERSGS Thomson Microelectronics
1166122STHV748Quad ± 90 V, ± 2 A, 3/5 Pegel, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
1166123STHV748QTRQuad ± 90 V, ± 2 A, 3/5 Pegel, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
1166124STHV749Quad ± 90 V, ± 2 A, ± 4 A, 3-, 5-, 7-level RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
1166125STHV749LQuad ± 90 V, ± 2 A, ± 4 A, 3-, 5-, 7-level RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
1166126STHV800Octal ± 90 V, ± 2 A, 3-Level-RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
1166127STHV800LOctal ± 90 V, ± 2 A, 3-Level-RTZ, Hochgeschwindigkeits-Ultraschall-ImpulsgeberST Microelectronics
1166128STHVDAC-253MAntennenabstimmschaltungST Microelectronics
1166129STHVDAC-253MF3AntennenabstimmschaltungST Microelectronics
1166130STHVDAC-303Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166131STHVDAC-303C6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166132STHVDAC-303F6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166133STHVDAC-303IC6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166134STHVDAC-303IF6Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166135STHVDAC-304MHochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166136STHVDAC-304MC3Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166137STHVDAC-304MF3Hochspannungs BST KapazitätssteuerungST Microelectronics
1166138STI10NM60NN-Kanal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, I2PAK MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1166139STI11NM80N-Kanal 800 V, 0,35 Ohm, 11 A MDmesh (TM) Power MOSFET in I2PAKST Microelectronics



1166140STI12N65M5N-Kanal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET I2PAKST Microelectronics
1166141STI13005-1Hochspannung schnell schaltende NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
1166142STI13005-HHochspannung schnell schaltende NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
1166143STI13NM60NN-Kanal 600 V, 0,28 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
1166144STI14NM50NN-Kanal 500 V, 0,28 Ohm, 12 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
1166145STI150N10F7N-Kanal 100 V, 0,0036 Ohm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
1166146STI18N65M5N-Kanal 650 V, 0.198 Ohm typ. 15 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
1166147STI20N65M5N-Kanal 650 V, 0.160 Ohm typ. 18 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
1166148STI21N65M5N-Kanal 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKST Microelectronics
1166149STI24N60M2N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1166150STI24NM60NN-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET I2PAKST Microelectronics
1166151STI260N6F6N-Kanal-60 V, 0,0024 Ohm, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
1166152STI270N4F3N-Kanal-40 V, 2,1 mOhm typ., 160 A STripFET (TM) III-Power-MOSFET in I2PAK PaketST Microelectronics
1166153STI300N4F6N-Kanal-40 V, 1,7 mOhm, 160 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem Paket I2PAKST Microelectronics
1166154STI3220BEWEGUNG SCHÄTZUNG-PROZESSORST Microelectronics
1166155STI3220BEWEGUNG SCHÄTZUNG-PROZESSORST Microelectronics
1166156STI32N65M5N-Kanal 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAKST Microelectronics
1166157STI33N60M2N-Kanal 600 V, 0.108 Ohm typ. 26 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
1166158STI34N65M5N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm typ. 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in I2PAK PaketST Microelectronics
1166159STI3500AMPEG-2/CCIR 601 BILDSCHIRM-DECODERST Microelectronics
1166160STI3500ACVMPEG-2 / CCIR 601 VideodecoderSGS Thomson Microelectronics
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