| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1175801 | STP16NE06L/FP | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175802 | STP16NE06LFP | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175803 | STP16NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 16A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175804 | STP16NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 16A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175805 | STP16NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 16A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175806 | STP16NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 16A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175807 | STP16NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.07 OHM - 16A TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175808 | STP16NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.07 OHM - 16A TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175809 | STP16NF06LFP | N-CHANNEL 60V - 0.07 OHM - 16A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175810 | STP16NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.38 Ohm - 14A TO-220/I2SPAK/TO-247 Zener-Geschützter SuperMESH™ Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175811 | STP16NK60Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38§Ù - 14A TO-220/I2SPAK/TO-247 Zener-SchützteSuperMESH¢â Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175812 | STP16NK60Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38§Ù - 14A TO-220/I2SPAK/TO-247 Zener-SchützteSuperMESH¢â Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175813 | STP16NK65Z | N-CHANNEL 650 V - 0.38 Ohm - 13 Ein TO-220/ISPAK Zener-Geschützter SuperMESH™ Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175814 | STP16NK65Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38§Ù - 14A TO-220/I2SPAK/TO-247 Zener-SchützteSuperMESH¢â Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175815 | STP16NK65Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38§Ù - 14A TO-220/I2SPAK/TO-247 Zener-SchützteSuperMESH¢â Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175816 | STP16NS25 | N-CHANNEL 250V 0.23 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-16A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1175817 | STP16NS25 | N-CHANNEL 250V 0.23 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-16A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175818 | STP16NS25FP | N-CHANNEL 250V 0.23 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-16A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1175819 | STP16NS25FP | N-CHANNEL 250V 0.23 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-16A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175820 | STP17N62K3 | N-Kanal 620 V, 0,28 Ohm, 15,5 A, TO-220 SuperMESH3 (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175821 | STP17NF25 | N-Kanal 250 V, 0,14 Ohm, 17 A, TO-220 STripFET (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175822 | STP17NK40Z | N-CHANNEL 400 V - 0.23 OHM - 15 Ein TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175823 | STP17NK40ZFP | N-CHANNEL 400 V - 0.23 OHM - 15 Ein TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175824 | STP180N10F3 | N-Kanal 100 V, 4,5 mOhm, 120 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175825 | STP180NS04ZC | N-Kanal 40 V geklemmt 3,6 mOhm typ., 120 A vollständig geschützt SAFeFET (TM) Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175826 | STP185N55F3 | N-Kanal-55 V, 3,2 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175827 | STP18N55M5 | N-Kanal 550 V, 0.150 Ohm typ., 16 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175828 | STP18N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.255 Ohm typ. 13 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175829 | STP18N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.198 Ohm typ. 15 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175830 | STP18NM60N | N-Kanal 600 V, 0,26 Ohm typ. 13 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175831 | STP18NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,25 Ohm typ. 13 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175832 | STP18NM80 | N-Kanal 800 V, 0,25 Ohm, 17 A, MDmesh (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175833 | STP190N55LF3 | N-Kanal-55 V, 2,9 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175834 | STP190NF04 | N-CHANNEL 40V - mOhm 3.9 - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175835 | STP19N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175836 | STP19N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175837 | STP19N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175838 | STP19N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175839 | STP19N06FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175840 | STP19N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
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