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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1181001STW50N10N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1181002STW50N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181003STW50NB20N-CHANNEL 200V - 0.047 OHM - 50A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1181004STW50NB20N - FÜHRUNG 200V - 0.047W - 50A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181005STW52NK25ZN-CHANNEL 250V-0.033Ohm-52A TO-247 Zener-Geschützter SuperMESH™MosfetST Microelectronics
1181006STW54NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.052Ohm - 54A TO-247ST Microelectronics
1181007STW54NM65NDN-Kanal 650 V, 0.055 Ohm typ. 49 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181008STW55NE10N - FÜHRUNG 100V - 0.021Ohm - 55A - TO247 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181009STW55NE10N-CHANNEL 100V - 0.021 OHM - 55A TO247 STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1181010STW55NM60NN-Kanal 600 V, 0.047 Ohm, 51 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-247ST Microelectronics
1181011STW55NM60NDN-Kanal 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode)ST Microelectronics
1181012STW56NM60NN-Kanal 600 V, 0,05 Ohm, 45 A, TO-247 MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1181013STW57N65M5N-Kanal 650 V, 0.056 Ohm typ. 42 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181014STW57N65M5-4N-Kanal 650 V, 0.056 Ohm typ. 42 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFET in einem Paket TO247-4ST Microelectronics
1181015STW5NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181016STW5NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1181017STW5NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181018STW5NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181019STW5NA90N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics



1181020STW5NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181021STW5NB100N-CHANNEL 1000 - 4 OHM - 4.3A - TO-247 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1181022STW5NB100N - FÜHRUNG 1000V - 4W - 4.3A - TO-247, PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181023STW5NB90N - FÜHRUNG 900V - 2.3 Ohm - 5.6A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181024STW5NK100ZN-CHANNEL 1000V - 2.7 Ohm - 3.5A - TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MosfetST Microelectronics
1181025STW60N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181026STW60N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181027STW60N10N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1181028STW60NE10N-CHANNEL 100V - 0.016 OHM - 60A TO-247 STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1181029STW60NE10N - FÜHRUNG 100V - 0.016Ohm - 60A TO-247 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1181030STW60NM50NN-Kanal 500 V, 0.035 Ohm typ. 68 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181031STW62N65M5Automotive-N-Kanal 650 V, 0.041 Ohm typ. 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181032STW62NM60NN-Kanal 600 V, 0,04 Ohm typ. 65 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in einem TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181033STW69N65M5N-Kanal 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181034STW69N65M5-4N-Kanal 650 V, 0.037 Ohm typ. 58 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO247-4 PaketST Microelectronics
1181035STW6N120K3N-Kanal 1200 V, 1,95 Ohm, 6 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181036STW6N95K5N-Kanal 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-247-GehäuseST Microelectronics
1181037STW6NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1181038STW6NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1181039STW6NA80N - FÜHRUNG 800V - 1.8 Ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1181040STW6NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
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