Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
1181001 | STW50N10 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1181002 | STW50N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1181003 | STW50NB20 | N-CHANNEL 200V - 0.047 OHM - 50A - TO-247 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
1181004 | STW50NB20 | N - FÜHRUNG 200V - 0.047W - 50A - TO-247 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
1181005 | STW52NK25Z | N-CHANNEL 250V-0.033Ohm-52A TO-247 Zener-Geschützter SuperMESHMosfet | ST Microelectronics |
1181006 | STW54NK30Z | N-CHANNEL 300V - 0.052Ohm - 54A TO-247 | ST Microelectronics |
1181007 | STW54NM65ND | N-Kanal 650 V, 0.055 Ohm typ. 49 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in einem TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181008 | STW55NE10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.021Ohm - 55A - TO247 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
1181009 | STW55NE10 | N-CHANNEL 100V - 0.021 OHM - 55A TO247 STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
1181010 | STW55NM60N | N-Kanal 600 V, 0.047 Ohm, 51 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-247 | ST Microelectronics |
1181011 | STW55NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) | ST Microelectronics |
1181012 | STW56NM60N | N-Kanal 600 V, 0,05 Ohm, 45 A, TO-247 MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
1181013 | STW57N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.056 Ohm typ. 42 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181014 | STW57N65M5-4 | N-Kanal 650 V, 0.056 Ohm typ. 42 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFET in einem Paket TO247-4 | ST Microelectronics |
1181015 | STW5NA100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1181016 | STW5NA100 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
1181017 | STW5NA100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1181018 | STW5NA90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1181019 | STW5NA90 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
1181020 | STW5NA90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1181021 | STW5NB100 | N-CHANNEL 1000 - 4 OHM - 4.3A - TO-247 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
1181022 | STW5NB100 | N - FÜHRUNG 1000V - 4W - 4.3A - TO-247, PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
1181023 | STW5NB90 | N - FÜHRUNG 900V - 2.3 Ohm - 5.6A - TO-247 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
1181024 | STW5NK100Z | N-CHANNEL 1000V - 2.7 Ohm - 3.5A - TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH Mosfet | ST Microelectronics |
1181025 | STW60N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1181026 | STW60N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1181027 | STW60N10 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1181028 | STW60NE10 | N-CHANNEL 100V - 0.016 OHM - 60A TO-247 STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
1181029 | STW60NE10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.016Ohm - 60A TO-247 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
1181030 | STW60NM50N | N-Kanal 500 V, 0.035 Ohm typ. 68 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181031 | STW62N65M5 | Automotive-N-Kanal 650 V, 0.041 Ohm typ. 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in einem TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181032 | STW62NM60N | N-Kanal 600 V, 0,04 Ohm typ. 65 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in einem TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181033 | STW69N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181034 | STW69N65M5-4 | N-Kanal 650 V, 0.037 Ohm typ. 58 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO247-4 Paket | ST Microelectronics |
1181035 | STW6N120K3 | N-Kanal 1200 V, 1,95 Ohm, 6 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181036 | STW6N95K5 | N-Kanal 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
1181037 | STW6NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1181038 | STW6NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1181039 | STW6NA80 | N - FÜHRUNG 800V - 1.8 Ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1181040 | STW6NA90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
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