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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1234801TML3051230 Watt, Eingangsspannungsbereich: 85-264V, Ausgangsspannung 5 / + / - 12V (3000 / + / - 630mA), gekapselten StromversorgungTRACO Electronic AG
1234802TML3051530 Watt, Eingangsspannungsbereich: 85-264V, Ausgangsspannung 5 / + / - 15V (3000 / + / - 500 mA), gekapselten StromversorgungTRACO Electronic AG
1234803TMM-6263KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODESGS Thomson Microelectronics
1234804TMM2018AP16.384 Bits, die Schnell sind und niedrige Energie der statische RAM, der als 2.048 Wörter durch 8 Bits organisiert wird undfunktioniert von einem einzelnen Versorgungsmaterial 5VTOSHIBA
1234805TMM2018AP-2516.384 Bits, die Schnell sind und niedrige Energie der statische RAM, der als 2.048 Wörter durch 8 Bits organisiert wird undfunktioniert von einem einzelnen Versorgungsmaterial 5VTOSHIBA
1234806TMM2018AP-3516.384 Bits, die Schnell sind und niedrige Energie der statische RAM, der als 2.048 Wörter durch 8 Bits organisiert wird undfunktioniert von einem einzelnen Versorgungsmaterial 5VTOSHIBA
1234807TMM2018AP-4516.384 Bits, die Schnell sind und niedrige Energie der statische RAM, der als 2.048 Wörter durch 8 Bits organisiert wird undfunktioniert von einem einzelnen Versorgungsmaterial 5VTOSHIBA
1234808TMM2063AP-10100 ns; 80mA; V (cc): -0,5 bis + 7,0 V; 0.8W; 65.536 Bits hoher Geschwindigkeit und geringem Strom statische ZugriffsspeicherTOSHIBA
1234809TMM2063AP-12120ns; 80mA; V (cc): -0,5 bis + 7,0 V; 0.8W; 65.536 Bits hoher Geschwindigkeit und geringem Strom statische ZugriffsspeicherTOSHIBA
1234810TMM2063AP-7070ns; 80mA; V (cc): -0,5 bis + 7,0 V; 0.8W; 65.536 Bits hoher Geschwindigkeit und geringem Strom statische ZugriffsspeicherTOSHIBA
1234811TMM2064PTOSHIBA MOS DATENSPEICHER-PRODUKTETOSHIBA
1234812TMM2064P-10TOSHIBA MOS DATENSPEICHER-PRODUKTETOSHIBA
1234813TMM2064P-12TOSHIBA MOS DATENSPEICHER-PRODUKTETOSHIBA
1234814TMM2064P-15TOSHIBA MOS DATENSPEICHER-PRODUKTETOSHIBA
1234815TMM2114AP1024 Wort x 4 Bitstatic RAMTOSHIBA
1234816TMM23256PSpitze 256K Schablone ROMTOSHIBA
1234817TMM24256BF-17170ns; V (cc): -0,6 bis 7V; V; 32.768 x 8-Bit einmal programmierbaren NurlesespeicherTOSHIBA
1234818TMM24256BF-20200ns; V (cc): -0,6 bis 7V; V; 32.768 x 8-Bit einmal programmierbaren NurlesespeicherTOSHIBA



1234819TMM24256BP-17170ns; V (cc): -0,6 bis 7V; V; 32.768 x 8-Bit einmal programmierbaren NurlesespeicherTOSHIBA
1234820TMM24256BP-20200ns; V (cc): -0,6 bis 7V; V; 32.768 x 8-Bit einmal programmierbaren NurlesespeicherTOSHIBA
1234821TMM315D4096 Wort x 1 Bitstatic RAMTOSHIBA
1234822TMM4146465536 Wort x 4 Bit-dynamisches RAMTOSHIBA
1234823TMM6263KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODEST Microelectronics
1234824TMM6263KLEINE SIGNAL Schottky-DiodeSGS Thomson Microelectronics
1234825TMM6263FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODEST Microelectronics
1234826TMM6263FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODESGS Thomson Microelectronics
1234827TMMBAT41KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODESGS Thomson Microelectronics
1234828TMMBAT41KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODEST Microelectronics
1234829TMMBAT41FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODEST Microelectronics
1234830TMMBAT41FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODESGS Thomson Microelectronics
1234831TMMBAT42KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENSGS Thomson Microelectronics
1234832TMMBAT42KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENST Microelectronics
1234833TMMBAT42FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENST Microelectronics
1234834TMMBAT42FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENSGS Thomson Microelectronics
1234835TMMBAT43KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENSGS Thomson Microelectronics
1234836TMMBAT43KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENST Microelectronics
1234837TMMBAT43FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENST Microelectronics
1234838TMMBAT43FILMKLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODENSGS Thomson Microelectronics
1234839TMMBAT46KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODESGS Thomson Microelectronics
1234840TMMBAT46KLEINE SIGNALSCHOTTKY DIODEST Microelectronics
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