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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1310001VN0300BN-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310002VN0300DN-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310003VN0300LVerbesserung-Modus Mosfet TransistorenVishay
1310004VN0300LTMOS Fet TransistorMotorola
1310005VN0300LN-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS FETsSupertex Inc
1310006VN0300LN-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310007VN0300LKleinsignal-MOSFET 200 mAmps, 60 VoltON Semiconductor
1310008VN0300L-DKleine Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volt N-Führung TO-92ON Semiconductor
1310009VN0300LSVerbesserung-Modus Mosfet TransistorenVishay
1310010VN0335N1N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310011VN0335N5N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310012VN0335NDN-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310013VN0360N1N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310014VN0360N5N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310015VN0360NDN-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310016VN03FN-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETsSupertex Inc
1310017VN03SPISO HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310018VN03SPHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISSGS Thomson Microelectronics
1310019VN03SP13TRISO HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics



1310020VN05HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310021VN050HHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310022VN050H(011Y)HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310023VN050H(012Y)HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310024VN0550N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS FETsSupertex Inc
1310025VN0550N3N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS FETsSupertex Inc
1310026VN05HHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISSGS Thomson Microelectronics
1310027VN05HHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISSGS Thomson Microelectronics
1310028VN05HSPHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISSGS Thomson Microelectronics
1310029VN05NHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310030VN05NHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISSGS Thomson Microelectronics
1310031VN05N(011Y)HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310032VN05N(012Y)HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310033VN05NSPHOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISSGS Thomson Microelectronics
1310034VN06ISO HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310035VN06ISO HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISSGS Thomson Microelectronics
1310036VN06(011Y)ISO HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310037VN06(012Y)ISO HOHE SEITLICHE INTELLIGENTE ENERGIE RELAISST Microelectronics
1310038VN0605TVerbesserung-Modus Mosfet TransistorenVishay
1310039VN0605TN-Führung Verbesserung-Modus MOS TransistorCalogic
1310040VN0606N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS FETsSupertex Inc
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