| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1314561 | W49V002FA | 3.3-Volt grelles 256Kx8 | Winbond Electronics |
| 1314562 | W49V002FAP | 256K X 8 Cmos GRELLES GEDÄCHTNIS MIT FWH SCHNITTSTELLE | Winbond Electronics |
| 1314563 | W49V002FAQ | 256K X 8 Cmos GRELLES GEDÄCHTNIS MIT FWH SCHNITTSTELLE | Winbond Electronics |
| 1314564 | W4NRD0X-0000 | Durchmesser: 50,8 mm; LCW Substraten; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314565 | W4NRD8C-U000 | Durchmesser: 50,8 mm; Ultra-Low mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314566 | W4NXD8C-0000 | Durchmesser: 50,8 mm; standatd mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314567 | W4NXD8C-L000 | Durchmesser: 50,8 mm; Nieder mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314568 | W4NXD8C-S000 | Durchmesser: 50,8 mm; Wählen mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314569 | W4NXD8D-0000 | Durchmesser: 50,8 mm; standatd mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314570 | W4NXD8D-S000 | Durchmesser: 50,8 mm; Wählen mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314571 | W4NXD8G-0000 | Durchmesser: 50,8 mm; standatd mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung | CREE POWER |
| 1314572 | W51300 | GRELLER VR STEUERPULT | Winbond Electronics |
| 1314573 | W5230 | ADPCM synthesizer mit 4 Auslösern, STA, STB, STC, RO (Romless Steuerpult) | Winbond Electronics |
| 1314574 | W5231 | ADPCM synthesizer mit 4 Auslösern, STA, STB, STC, R0 (3 Sekunden @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314575 | W5232 | ADPCM synthesizer mit 4 Auslösern, STA, STB, STC, R0 (6 Sekunden @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314576 | W5233 | ADPCM synthesizer mit 4 Auslösern, STA, STB, STC, R0 (9 Sekunden @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314577 | W5234 | ADPCM synthesizer mit 4 Auslösern, STA, STB, STC, R0 (12 Sekunden @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314578 | W523A008 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (8 sek) | Winbond Electronics |
| 1314579 | W523A010 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (10 sek) | Winbond Electronics |
| 1314580 | W523A012 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (12 sek) | Winbond Electronics |
| 1314581 | W523A015 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (15 sek) | Winbond Electronics |
| 1314582 | W523A020 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (20 sek) | Winbond Electronics |
| 1314583 | W523A025 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (25 sek) | Winbond Electronics |
| 1314584 | W523A030 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (30 sek) | Winbond Electronics |
| 1314585 | W523A040 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (40 sek) | Winbond Electronics |
| 1314586 | W523A050 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (50 sek) | Winbond Electronics |
| 1314587 | W523A060 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (60 sek) | Winbond Electronics |
| 1314588 | W523A070 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (70 sek) | Winbond Electronics |
| 1314589 | W523A080 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (80 sek) | Winbond Electronics |
| 1314590 | W523A100 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (100 sek) | Winbond Electronics |
| 1314591 | W523A120 | Auslöser des Sprachsynthesizers w/4, 5 Anschläge, R0-R3, µC Schnittstelle, PWM/DAC (120 sek) | Winbond Electronics |
| 1314592 | W523AXXX | HIGHFIDELITY-ENERGIE REDE | Winbond Electronics |
| 1314593 | W523M02 | MDPCM Sprachsynthesizer (2 Minuten PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314594 | W523S08 | MDPCM Sprachsynthesizer (8 Sekunden PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314595 | W523S10 | MDPCM Sprachsynthesizer (10 Sekunden PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314596 | W523S12 | MDPCM Sprachsynthesizer (12 Sekunden PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314597 | W523S15 | MDPCM Sprachsynthesizer (15 Sekunden PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314598 | W523S20 | MDPCM Sprachsynthesizer (20 Sekunden PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314599 | W523S25 | MDPCM Sprachsynthesizer (25 Sekunden PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314600 | W523S30 | MDPCM Sprachsynthesizer (30 Sekunden PowerSpeech) | Winbond Electronics |
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