| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 18001 | 1N4596R | 1400V, 150A Allzweck einzelne Diode | Powerex Power Semiconductors |
| 18002 | 1N459A | Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-Diode | National Semiconductor |
| 18003 | 1N459A | SILIKON-DIODE | Central Semiconductor |
| 18004 | 1N459A | Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 18005 | 1N459A | 175 V, 500 mW niedrigen Leckdiode | BKC International Electronics |
| 18006 | 1N459ATR | Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 18007 | 1N459A_L99Z | Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 18008 | 1N459A_T50R | Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 18009 | 1N459TR | Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 18010 | 1N459_T50R | Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 18011 | 1N4606 | SILIKON-EPITAXIAL- PLANARE ART DIODE | TOSHIBA |
| 18012 | 1N4606 | Siliziumepitaxieschicht planaren Typ-Diode. | Panasonic |
| 18013 | 1N4607 | Signal-oder Computer-Diode | Microsemi |
| 18014 | 1N4607 | Siliziumepitaxieschicht planaren Typ-Diode. | Panasonic |
| 18015 | 1N4608 | Signal-oder Computer-Diode | Microsemi |
| 18016 | 1N4608 | SILIKON-EPITAXIAL- PLANARE ART DIODE | TOSHIBA |
| 18017 | 1N4608 | Siliziumepitaxieschicht planaren Typ-Diode. | Panasonic |
| 18018 | 1N4614 | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18019 | 1N4614 | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18020 | 1N4614 | NIEDRIGER GEGENWÄRTIGER BETRIEB BEI 250 MA | Compensated Devices Incorporated |
| 18021 | 1N4614 | 500MW NIEDRIGE DIODEN DER GERÄUSCH-SILION ZENER | Jinan Gude Electronic Device |
| 18022 | 1N4614 | DIODEN DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER NIEDRIG STROM: 250.? - NIEDRIGE GERÄUSCHE | Knox Semiconductor Inc |
| 18023 | 1N4614 | Verbleiter Zener Diode Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 18024 | 1N4614 (DO35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18025 | 1N4614-1 | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18026 | 1N4614-1 | NIEDRIGER GEGENWÄRTIGER BETRIEB BEI 250 MA | Compensated Devices Incorporated |
| 18027 | 1N4614C | 500mW geräuscharm Silizium Zenerdiode. Nenn Zenerspannung 1,8V. 2% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 18028 | 1N4614D | 500mW geräuscharm Silizium Zenerdiode. Nenn Zenerspannung 1,8V. 1% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 18029 | 1N4614UR | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18030 | 1N4614UR-1 | LEADLESS PAKET FÜR OBERFLÄCHENEINFASSUNG | Compensated Devices Incorporated |
| 18031 | 1N4614UR-1 | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
| 18032 | 1N4615 | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18033 | 1N4615 | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18034 | 1N4615 | NIEDRIGER GEGENWÄRTIGER BETRIEB BEI 250 MA | Compensated Devices Incorporated |
| 18035 | 1N4615 | 500MW NIEDRIGE DIODEN DER GERÄUSCH-SILION ZENER | Jinan Gude Electronic Device |
| 18036 | 1N4615 | DIODEN DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER NIEDRIG STROM: 250.? - NIEDRIGE GERÄUSCHE | Knox Semiconductor Inc |
| 18037 | 1N4615 | Verbleiter Zener Diode Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 18038 | 1N4615 (DO35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18039 | 1N4615-1 | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 18040 | 1N4615-1 | NIEDRIGER GEGENWÄRTIGER BETRIEB BEI 250 MA | Compensated Devices Incorporated |
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