| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 21881 | 1N5230A | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
| 21882 | 1N5230A (DO-35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 21883 | 1N5230A (DO7) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 21884 | 1N5230AUR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 4,7 V. Toleranz + -10%. | Microsemi |
| 21885 | 1N5230B | Halbes Watt Zeners | National Semiconductor |
| 21886 | 1N5230B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21887 | 1N5230B | Silikon Zener Dioden | Vishay |
| 21888 | 1N5230B | Zener Dioden | Diodes |
| 21889 | 1N5230B | Zener Dioden für stabilisiertes Spg.Versorgungsteil | Hitachi Semiconductor |
| 21890 | 1N5230B | 500mw Epitaxial- Zener Diode | Comchip Technology |
| 21891 | 1N5230B | ZENER DIODE 2.4 VOLT DURCH 200VOLTS 500ML, 5% TOLERANZ | Central Semiconductor |
| 21892 | 1N5230B | Zener Diode | Formosa MS |
| 21893 | 1N5230B | 1N52 REIHE ZENER DIODEN | Leshan Radio Company |
| 21894 | 1N5230B | Spannung Reglerdioden | Philips |
| 21895 | 1N5230B | 500MW 5% DO-35 ZENER DIODE | Rectron Semiconductor |
| 21896 | 1N5230B | TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN DER GLASDIODEN DES SILIKON-ZENER | DC Components |
| 21897 | 1N5230B | Diodes>Zener | Renesas |
| 21898 | 1N5230B | 4,7V 500 mW Zener Diode | Continental Device India Limited |
| 21899 | 1N5230B | 500 Milliwatt Glas Silizium Zenerdiode Zenerspannung 4,7V | Motorola |
| 21900 | 1N5230B | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
| 21901 | 1N5230B (DO-35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 21902 | 1N5230B (DO7) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 21903 | 1N5230B-G | Zener Diodes, PD=0.5Watts, VZ=4.7V | Comchip Technology |
| 21904 | 1N5230B-LCC3 | ZENER SPANNUNG REGLER-DIODE IM HERMETISCHEN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG PAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 21905 | 1N5230BTR | 4.7V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21906 | 1N5230BUR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 4,7 V. Toleranz + -5%. | Microsemi |
| 21907 | 1N5230B_T26A | 4.3V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21908 | 1N5230B_T50A | 4.7V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21909 | 1N5230B_T50R | 4.7V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 21910 | 1N5230C | 4.7 V, 20 mA, Zenerdiode | Leshan Radio Company |
| 21911 | 1N5230D | 4.7 V, 20 mA, Zenerdiode | Leshan Radio Company |
| 21912 | 1N5230UR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 4,7 V. | Microsemi |
| 21913 | 1N5231 | ZENER DIODEN | General Semiconductor |
| 21914 | 1N5231 | DIODEN DES SILIKON-0.5W PLANARE ZENER | Chenyi Electronics |
| 21915 | 1N5231 | Silikon Planare Zener Dioden | Honey Technology |
| 21916 | 1N5231 | PLANARE ZENER DIODEN DES SILIKON- | GOOD-ARK Electronics |
| 21917 | 1N5231 | 500 mW Zener Diode 2.4 bis 200 Volt | Micro Commercial Components |
| 21918 | 1N5231 | ZENER SPANNUNG REGLER-DIODE IM HERMETISCHEN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG PAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 21919 | 1N5231 | PLANARE ZENER DIODEN DES SILIKON- | Surge Components |
| 21920 | 1N5231 | SILIKON 500 mW ZENER DIODEN | Microsemi |
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