| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 249001 | BB419 | Silikon-variable Kapazitanz-Diode (für VHF abgestimmte Stromkreisanwendungen) | Siemens |
| 249002 | BB41931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 249003 | BB439 | Varactordiodes - variable Kapazitanzdiode des Silikons für VHF abgestimmte Stromkreisanwendungen | Infineon |
| 249004 | BB439 | Silikon-variable Kapazitanz-Diode (für VHF abgestimmte Stromkreisanwendungen hohe Abbildung des Verdienstes) | Siemens |
| 249005 | BB501 | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249006 | BB501C | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249007 | BB501C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249008 | BB501C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249009 | BB501M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249010 | BB501M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249011 | BB501M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249012 | BB502 | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249013 | BB502C | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249014 | BB502C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249015 | BB502C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249016 | BB502M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249017 | BB502M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249018 | BB502M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249019 | BB503 | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249020 | BB503C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249021 | BB503C | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249022 | BB503C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249023 | BB503M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249024 | BB503M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 249025 | BB503M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249026 | BB504C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249027 | BB504C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249028 | BB504M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 249029 | BB504M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249030 | BB505C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249031 | BB505M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249032 | BB512 | Silikon-variable Kapazitanz-Diode (für morgens abstimmende Anwendungen spezifizierte abstimmende Strecke 1. 8 V) | Siemens |
| 249033 | BB515 | Silikon-variable Kapazitanz-Diode (für UHF- und VHF TV/VTR Tuners des großen niedriger Widerstand Reihe Kapazitanzverhältnisses) | Siemens |
| 249034 | BB535 | Varactordiodes - variable Kapazitanzdiode des Silikons für UHF- und TV/TR Tuners | Infineon |
| 249035 | BB535 | Silikon-variable Kapazitanz-Diode (für UHF- und TV/TR Tuners großes Kapazitanzverhältnis, niedrige Reihe Widerstand) | Siemens |
| 249036 | BB535 | Silikon-Variable Kapazitanz-Diode | Leshan Radio Company |
| 249037 | BB545 | Varactordiodes - abstimmende Diode des Silikons für UHF- und VHF Fernsehapparat Tuners | Infineon |
| 249038 | BB545 | Silikon-abstimmende Diode (für das Abstimmen des großen Kapazitanzverhältnisses DER UHF- und VHF Fernsehapparat Tuners, der niedrigen Reihe Widerstand) | Siemens |
| 249039 | BB555 | Varactordiodes - abstimmende Diode des Silikons für UHF Fernsehapparat Tuners | Infineon |
| 249040 | BB555 | Silikon-abstimmende Diode (für des hohen niedrige Induktanz Reihe Kapazitanzverhältnisses der UHF--Fernsehapparat-UHF-TV-tuners) | Siemens |
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