| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 251921 | BC848AW | NPN Silikon AF Transistor (für AF Eingang Stadien und Treiberanwendungen hohe Stromverstärkung niedrige Kollektor-Emitter Sättigung Spannung) | Siemens |
| 251922 | BC848AW | Universeller Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 251923 | BC848AW | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 251924 | BC848AW | NPN-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 251925 | BC848AW-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 251926 | BC848AW-G | Kleiner Signal-Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 5V, I C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251927 | BC848AWT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
| 251928 | BC848AWT1 | FALL 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 251929 | BC848AWT1 | Universeller Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 251930 | BC848B | NPN Zwecktransistoren | Philips |
| 251931 | BC848B | NPN Zwecktransistoren | Philips |
| 251932 | BC848B | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Zetex Semiconductors |
| 251933 | BC848B | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 251934 | BC848B | Kleine Signal-Transistoren (NPN) | General Semiconductor |
| 251935 | BC848B | Universelle Transistoren - Paket SOT323 | Infineon |
| 251936 | BC848B | SILIKON DES ZWECK-TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251937 | BC848B | NPN Silikon AF Transistoren (für AF Eingang Stadien und Treiberanwendungen hohe Stromverstärkung) | Siemens |
| 251938 | BC848B | NPN Kleiner Signal-Transistor 310mW | Micro Commercial Components |
| 251939 | BC848B | SMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-NPN | Central Semiconductor |
| 251940 | BC848B | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
| 251941 | BC848B | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 251942 | BC848B | NPN OBERFLÄCHE EINFASSUNG KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR | TRSYS |
| 251943 | BC848B | 30 V, 100 mA NPN Zwecktransistoren | NXP Semiconductors |
| 251944 | BC848B | 0.250W General Purpose NPN SMD-Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 200-450 hFE. Ergänzende BC858B | Continental Device India Limited |
| 251945 | BC848B | NPN-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 251946 | BC848B | Ic = 100mA, VCE = 5,0V Transistor | MCC |
| 251947 | BC848B | NPN-Transistor für allgemeine Zwecke | ROHM |
| 251948 | BC848B | 30 V, NPN Oberflächenmontagekleinsignaltransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 251949 | BC848B(Z) | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE Zwecktransistoren | Diodes |
| 251950 | BC848B,C | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 251951 | BC848B-1K | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Unknow |
| 251952 | BC848B-1K | SOT23 NPN SILIKON PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251953 | BC848B-1K | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Unknow |
| 251954 | BC848B-1K | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Unknow |
| 251955 | BC848B-1K | SOT23 NPN SILIKON PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251956 | BC848B-1K | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Unknow |
| 251957 | BC848B-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 251958 | BC848B-G | Kleiner Signal-Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 6V, I C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251959 | BC848BDW1T1 | 30 V, Dual Universal Transistor | Leshan Radio Company |
| 251960 | BC848BF | NPN Zwecktransistoren | Philips |
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